根據科技日報的光刻報道，光刻技術(shù)是膠領(lǐng)持續縮小集成電路芯片制程工藝的關(guān)鍵因素之一。近期，域國北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院的實(shí)現彭海琳教授及其團隊，通過(guò)冷凍電子斷層掃描技術(shù)，新進(jìn)首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的光刻三維結構、界面分布與纏結行為，膠領(lǐng)從而指導開(kāi)發(fā)了可顯著(zhù)減少光刻缺陷的域國產(chǎn)業(yè)化方案。這項研究成果已在《自然·通訊》上發(fā)表。實(shí)現

“顯影”是新進(jìn)光刻過(guò)程中至關(guān)重要的一步，在這一過(guò)程中，光刻顯影液通過(guò)溶解光刻膠的膠領(lǐng)曝光區域，將電路圖案準確地轉移到硅片上。域國光刻膠就像繪制電路的實(shí)現顏料，顯影液中光刻膠的新進(jìn)運動(dòng)直接影響到電路的精確度和質(zhì)量，進(jìn)而左右芯片的良率。長(cháng)期以來(lái)，光刻膠在顯影液中的微觀(guān)行為被認為是一個(gè)“黑匣子”，因此工業(yè)界的工藝優(yōu)化主要依賴(lài)于反復試錯，這成為推動(dòng)7納米及以下先進(jìn)制程良率提升的主要瓶頸。

為了解決這一問(wèn)題，研究團隊首度將冷凍電子斷層掃描技術(shù)應用于半導體領(lǐng)域。研究人員最終合成了一張分辨率超過(guò)5納米的微觀(guān)三維“全景照片”，有效克服了傳統技術(shù)在原位、三維和高分辨率觀(guān)察方面的三大難題。彭海琳表示，冷凍電子斷層掃描技術(shù)為在原子/分子尺度上解析 liquid phase interfaces 提供了強有力的工具。深入了解液體中聚合物的結構和微觀(guān)行為，將有助于提升先進(jìn)制程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關(guān)鍵工藝的缺陷控制及良率。

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