近期，超級周期各大芯片廠(chǎng)商紛紛提高產(chǎn)品價(jià)格。存儲根據央視財經(jīng)的行業(yè)報道，過(guò)去六個(gè)月，將進(jìn)全球存儲芯片價(jià)格持續上升，入各尤其是大芯在過(guò)去一個(gè)月，漲價(jià)消息層出不窮。片公品

根據《科創(chuàng )板日報》的司提不完全統計：

在9月下旬，三星電子通知將四季度DRAM價(jià)格提價(jià)15%至30%，高產(chǎn)格NAND閃存價(jià)格上調5%至10%。超級周期

群聯(lián)公司也恢復了其N(xiāo)AND閃存控制芯片的存儲報價(jià)，價(jià)格上漲約10%。行業(yè)

9月16日，將進(jìn)西部數據通知客戶(hù)將逐步提高所有HDD（機械硬盤(pán)）產(chǎn)品價(jià)格。入各

而閃迪在九月初宣布，大芯面向所有渠道的NAND產(chǎn)品均將提價(jià)超過(guò)10%。

此次漲價(jià)主要集中在DRAM和NAND兩種類(lèi)型的存儲芯片：前者為易失性存儲，讀取速度快，但斷電后數據會(huì )丟失；后者則是非易失性存儲，能在斷電后保留數據，適用于存放大數據量和模型參數。

摩根士丹利的最新研究報告預測，在人工智能的推動(dòng)下，存儲芯片行業(yè)將迎來(lái)一個(gè)“超級周期”。近期（10月1日），OpenAI與三星電子、SK海力士宣布達成初步供貨協(xié)議，韓國公司將為“星際之門(mén)”項目提供存儲芯片。根據韓國總統辦公室的信息，OpenAI預計到2029年訂購90萬(wàn)片存儲芯片晶圓。

SK海力士表示，該需求預測是全球高帶寬存儲芯片（HBM）產(chǎn)能的兩倍多，顯示出項目的規模及全球人工智能發(fā)展的迅速。進(jìn)一步分析發(fā)現，在DRAM和HBM的高成本及供不應求的情況下，NAND有望成為AI時(shí)代的新主流存儲選項。

三星電子已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行HBF新型高帶寬閃存產(chǎn)品的前期開(kāi)發(fā)，HBF相較于HBM，采用NAND閃存代替DRAM。韓國科學(xué)技術(shù)院的金正浩教授提到，當前人工智能的瓶頸在于內存帶寬和容量，速度較慢但容量大的NAND閃存可以發(fā)揮重要作用。

摩根士丹利預測，到2026年，NAND閃存將出現高達8%的供應缺口。同時(shí)，群聯(lián)電子董事長(cháng)潘健成也表示，盡管SSD正在成為大容量存儲的主流，但當前SSD與HDD的市場(chǎng)占比為2:8，預計2026年起，NAND閃存將嚴重短缺，未來(lái)十年供應將持續緊張。

值得注意的是，NAND Flash的價(jià)格漲幅已超過(guò)DRAM。根據CFM的數據，2025年第三季度，NAND Flash市場(chǎng)綜合價(jià)格指數上升5%，而DRAM市場(chǎng)綜合價(jià)格指數上升19.2%。在9月單月，NAND Flash的市場(chǎng)綜合價(jià)格指數上漲4.7%，而DRAM上漲2.6%。

展望未來(lái)，TrendForce預計2025年第4季度NAND Flash價(jià)格將上漲5-10%。中信證券認為，數據中心的eSSD價(jià)格上漲幅度可能超過(guò)市場(chǎng)預期，預計到2026年大容量QLC SSD將迎來(lái)爆發(fā)性增長(cháng)。

本文轉載自：財聯(lián)社；XM外匯官網(wǎng)編輯：陳筱亦