XM外匯官網(wǎng)APP獲悉，供不應求投資機構花旗于周二指出，花旗由于人工智能(AI)對內存需求的推動(dòng)激增，預計在2026年，內存年或內存市場(chǎng)將出現“供不應求”的需求局面。

根據花旗分析師的激增客戶(hù)報告，預計到2026年，面臨動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和NAND閃存的供不應求供需比將分別為-1.8%和-4.0%。分析師認為，花旗隨著(zhù)AI需求從“AI訓練”階段轉向“AI推理”及邊緣AI設備，推動(dòng)普通服務(wù)器內存、內存年或移動(dòng)設備的需求DRAM，以及高帶寬、激增高密度的面臨NAND閃存需求將顯著(zhù)增長(cháng)。

盡管傳統內存需求持續上升，供不應求但內存供應商仍在優(yōu)先投資于高帶寬內存(HBM)，因此犧牲了傳統內存的產(chǎn)能投入。預計到2026年，整體內存市場(chǎng)的供需關(guān)系將更加緊張，從而推高內存價(jià)格。

基于此判斷，花旗重申了對美光科技(MU.US)、SanDisk(SNDK.US)、三星及SK海力士的“買(mǎi)入”評級?；ㄆ爝M(jìn)一步分析稱(chēng)，2026年DRAM的供應量和需求量預計將分別同比增長(cháng)17.5%和20.1%，顯示出該品類(lèi)失衡的風(fēng)險；NAND閃存方面，供應量預計同比增長(cháng)16.5%，而需求量同比增幅高達21.4%。

分析師還補充，預計2026年晶圓廠(chǎng)設備支出將同比增長(cháng)11.1%，這一增長(cháng)的核心在于內存供應商可能會(huì )繼續將資源傾斜至高帶寬內存(HBM)而非傳統內存。具體來(lái)看，預計2026年DRAM領(lǐng)域的資本支出將同比增長(cháng)12.2%，NAND閃存領(lǐng)域的資本支出預計同比增長(cháng)9%。