據知情人士透露，長(cháng)鑫存儲中國內存芯片領(lǐng)軍企業(yè)長(cháng)鑫存儲計劃在2026年第一季度于上海進(jìn)行首次公開(kāi)募股（IPO），計劃預估市值可達3000億元人民幣。于年元人該公司意在通過(guò)IPO籌集200億至400億元人民幣，第季度上可能在11月向投資者發(fā)布招股說(shuō)明書(shū)，海上預計將吸引內地投資者的市募強烈需求。截至目前，資目至億長(cháng)鑫存儲尚未對此發(fā)表評論。標億

據了解，民幣長(cháng)鑫存儲正在上海建設一座HBM后端封裝廠(chǎng)，長(cháng)鑫存儲預計將在明年年底前投入生產(chǎn)。計劃初期HBM晶圓的于年元人月產(chǎn)量將達到約3萬(wàn)片，約為韓國SK海力士的第季度上五分之一。此外，海上長(cháng)鑫存儲計劃在2026年開(kāi)始量產(chǎn)第四代高帶寬內存（HBM3）芯片。市募

長(cháng)鑫存儲前身為合肥睿力集成電路，成立于2016年。如今，長(cháng)鑫存儲已成為中國在全球DRAM市場(chǎng)的戰略先鋒，打破了日本、韓國和美國企業(yè)的長(cháng)期主導地位。今年7月，長(cháng)鑫存儲的母公司長(cháng)鑫科技首次遞交IPO輔導備案報告，并委托中金公司和中信建投作為輔導機構。