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MRAM:臺積電(TSM.US)的重要進(jìn)展

MRAM:臺積電(TSM.US)的重要進(jìn)展

近年來(lái),臺積非易失性存儲器(NVM)技術(shù)快速發(fā)展。電T的重隨著(zhù)人工智能、進(jìn)展自動(dòng)駕駛和物聯(lián)網(wǎng)等新興應用的臺積興起,傳統存儲系統正面臨速度、電T的重能耗與穩定性的進(jìn)展挑戰。為了滿(mǎn)足“快”“省”“穩”的臺積需求,各類(lèi)新型存儲器(如ReRAM、電T的重PCM、進(jìn)展FeRAM、臺積MRAM等)進(jìn)入研發(fā)階段,電T的重爭取在“后DRAM時(shí)代”中占據一席之地。進(jìn)展磁阻隨機存取存儲器(MRAM)因其高速、臺積低功耗和非易失性,電T的重被認為是進(jìn)展極具潛力的通用存儲解決方案。

據報道,加拿大臺積電及相關(guān)機構在MRAM技術(shù)上取得了重大突破,成功開(kāi)發(fā)出基于β相鎢材料的自旋軌道力矩磁阻隨機存取存儲器(SOT-MRAM)。該技術(shù)實(shí)現了顯著(zhù)的性能指標:數據切換時(shí)間僅需1納秒,數據保持時(shí)間超過(guò)10年,隧穿磁阻比高達146%。這項成果發(fā)表于《自然電子學(xué)》(Nature Electronics)期刊。

存儲技術(shù)的變革需求

如今的計算系統依賴(lài)SRAM、DRAM和閃存等存儲層級體系。隨著(zhù)技術(shù)發(fā)展突破10納米,傳統的基于電荷存儲的技術(shù)面臨極大挑戰,尤其是在人工智能和邊緣計算迅速發(fā)展的背景下,對存儲器的需求日益嚴苛——需要兼具DRAM的高速特性、閃存的非易失性并顯著(zhù)降低功耗。

新興非易失性存儲技術(shù)正是應運而生,例如,SOT-MRAM、STT-MRAM、PCM、RRAM和FeRAM等,這些技術(shù)具備非易失性、低延遲和低功耗的特點(diǎn),并能與現有CMOS半導體工藝集成。相較于DRAM的14毫秒延遲和3D TLC NAND的50至100微秒讀取延遲,SOT-MRAM在納秒級實(shí)現數據切換,同時(shí)保持非易失性特點(diǎn)——即便斷電,數據依然保留。

SOT-MRAM的獨特優(yōu)勢

SOT-MRAM因其獨特的工作原理和技術(shù)優(yōu)勢而受矚目。其運用具有強自旋軌道耦合的材料,通過(guò)自旋軌道力矩實(shí)現數據的寫(xiě)入與擦除。SOT-MRAM相較其他存儲技術(shù)有三大核心優(yōu)勢:

1. **高速寫(xiě)入**:利用自旋軌道力矩效應,實(shí)現納秒級的磁化翻轉。

2. **高能效**:三端結構設計將讀寫(xiě)電流路徑分離,顯著(zhù)降低能耗并提高耐久性。

3. **高可靠性**:讀寫(xiě)操作獨立提高器件耐久性,并有效保持數據。

這些優(yōu)點(diǎn)使得SOT-MRAM有能力替代SRAM,成為新一代計算系統的核心存儲組件。

攻克關(guān)鍵技術(shù)難題

盡管SOT-MRAM在理論上具有明顯優(yōu)勢,但要實(shí)現產(chǎn)業(yè)化還需解決自旋軌道耦合材料的熱穩定性問(wèn)題。鎢因其卓越的自旋軌道耦合特性成為理想材料,尤其是β相鎢,然而該材料在常規熱處理下會(huì )轉變?yōu)闊岱€定的α相鎢,導致器件性能下降。

研究團隊的突破是將超薄鈷層插入鎢層,形成復合結構以抑制原子擴散和延緩相變。實(shí)驗表明,這種復合鎢結構在400°C的熱處理條件下,可以維持物相穩定長(cháng)達10小時(shí)。

性能全面驗證

研究團隊成功制備出基于復合鎢的64千位SOT-MRAM原型,并在接近實(shí)際應用條件下進(jìn)行全面性能測試,器件實(shí)現了納秒級的自旋軌道力矩翻轉速度,表現超越傳統存儲器,顯示出優(yōu)異的穩定性。

在數據保持能力方面,估算熱穩定性參數顯示器件的保持時(shí)間超過(guò)10年。在隧穿磁阻比測試中,器件達到了146%的高值,確保穩定讀出并提供可靠的工藝窗口。

在能耗控制上,獨立的讀寫(xiě)操作設計根本降低了能耗,讓SOT-MRAM非常適合邊緣計算和移動(dòng)終端應用。此外,由于臺積電團隊的參與,整個(gè)設計朝向現有半導體后端工藝優(yōu)化,確保未來(lái)大規模生產(chǎn)的可行性。

結論

基于復合鎢的SOT-MRAM通過(guò)材料設計成功解決了熱穩定性問(wèn)題,實(shí)現了納秒級切換與超長(cháng)數據保持的結合。這項研究不僅提供了核心技術(shù)儲備,也為存儲技術(shù)的未來(lái)指明了方向。隨著(zhù)向兆位級集成的發(fā)展,這種新型存儲器將在不久的將來(lái)走入我們的智能設備,開(kāi)啟全新的存儲技術(shù)時(shí)代。

本文編選自“半導體行業(yè)觀(guān)察”微信公眾號,作者:邵逸琦;XM外匯官網(wǎng)編輯:何鈺程。

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